출처 : 동아사이언스
링크 : https://www.dongascience.com/ko/news/76945
요약 : KAIST는 조병진 전기및전자공학부 교수 연구팀이 붕소 산질화물(BON)을 이용하여 낸드플래시 메모리 상용화의 걸림돌이었던 안정성과 충돌 문제를 해결하였다. 낸드플래시 메모리는 데이터를 저장하는 핵심 반도체로, 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는다. 그러나 데이터를 쓰거나 지울 때 전하가 통과하는 매우 얇은 전하막인 터널링 층에서 문제가 있었는데, 데이터 삭제 속도를 늘리면 정보가 새버리고, 유출을 막으면 삭제 속도가 느려진다는 것이었다. 교수 연구팀은 붕소 산질화물(BON)을 이용한 스마트 출입문 기술을 개발해 데이터를 지울 때 필요한 양의 전하를 쉽게 통과시키고 저장된 데이터 유출은 막는 비대칭 에너지 구조를 활용하여 이를 해결하였다. 실험 결과 데이터 삭제 속도가 기존 대비 최대 23배 빨랐으며, 데이터 분포 정밀도도 3배 이상 높았다. 조병진 교수는 앞으로 이 기술이 대한민국과 타국의 반도체 기술 초격차를 유지하는데 큰 기여를 할 것이라고 말했다.
한 줄 요약 : KAIST는 조병진 전기및전자공학부 교수 연구팀이 붕소 산질화물(BON)을 이용하여 데이터 삭제 속도를 늘리고 유출은 줄이는 스마트 출입문 기술을 개발하였다.